




硅和锗作为元素半导体,没有化合物半导体那样的化学计量比问题和多组元提纯的复杂性,硅球产品,因此在工艺上比较容易获得高纯度和高完整性的si、ge单晶,硅球地址,硅的禁带宽度比锗大,所以相对于锗器件而言硅器件的结漏电流比较小,工作温度比较高(250℃)硅材料的原料供给可以说是取之不尽的。
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碳和钢中某些合金元素化合形成各种碳化物,对钢的性能产生不同的影响。硅的导热性较差,硅含量较高的钢退火时表面容易脱碳。所以加热时必须注意升温速度不宜太快。由于导热性差,钢内外温差较大,硅球图片,容易有开裂危险。
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化学性质:硅有明显的非金属特性,可以溶于碱金属氢氧化物溶液中,产生(偏)硅酸盐和氢气。硅原子位于元素周期表第iv主族,它的原子序数为z=14,核外有14个电子。电子在原子核外,按能级由低硅原子到高,由里到外,层层环绕,这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子一层有2个电子,二层有8个电子,达到稳定态。外层有4个电子即为价电子,它对硅原子的导电性等方面起着---作用。

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